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电子元器件详细资料 » IC[21532] » IXFT10N100
型号:IXFT10N100类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA描述:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
系列HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.2 欧姆 @ 5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 4mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs155nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4000pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装TO-268
包装管件

供应商

深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳市金启宁科技有限公司曾小姐82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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